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3D技術競爭加劇-內(nèi)存卡工廠

更新時間:2016-06-17 點擊次數(shù):字號:T|T

三星電子將投入2.5兆韓元于韓國京畿道的華城17產(chǎn)線,用于量產(chǎn)3D NAND,最快6月底向設備廠商下單,以月晶圓((12英寸為基準))投片量為4萬片的生產(chǎn)規(guī)模,將在2016年底開始量產(chǎn)。
三星華城17產(chǎn)線第一階段投產(chǎn)的是DRAM,月晶圓投片量為4萬片左右,第二階段用于投產(chǎn)3D NAND。分析認為,一方面是為了應對市場對更大容量的存儲需求,另一方面為了穩(wěn)固3D技術的領先地位。
需求上,2016上半年很多智能型手機已內(nèi)嵌128GB容量,消費者也更傾向于向更高容量升級,下半年蘋果新iPhone將增加256GB大容量,且最低搭配容量從32GB起跳,預計容量分配為256GB(10%)、128GB(50% )、64GB(30%)、32GB(10%),將在7月份開始備貨,三星Galaxy Note 6也有望增加256GB容量,同時消費市場SSD也在向更高容量普及,顯然市場對高容量NAND Flash的需求在增加。
3D技術基于48層3D NAND容量可提升至256Gb,三星3D技術相對成熟,因此蘋果新iPhone 256GB機型由三星獨家供貨。三星除了西安廠量產(chǎn)32層3D NAND,已將韓國華城Fab16的16nm 2D NAND改造成20nm 48層3D V-NAND產(chǎn)線,并將于下半年投產(chǎn)?,F(xiàn)在,又將韓國京畿道的華城17產(chǎn)線用于量產(chǎn)3D NAND,也是為了準備足夠充足的NAND Flash產(chǎn)能滿足蘋果新iPhone和SSD的需求。
在3D NAND技術上,雖然三星目前處于領先地位,但由于2D NAND缺乏成本競爭力,東芝/SanDisk、鎂光、SK海力士等都在加快向3D技術切換,其中東芝/SanDisk的3D技術采用的也是48層;SK海力士以36層 3D NAND為主,并將在年內(nèi)完成48層3D NAND小批量生產(chǎn);鎂光以32層量產(chǎn)為主,并積極向48層或更高的3D NAND技術推進。
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